如(rú)果你(nǐ)在線路(lù)闆廠(chǎng)工(gō™ ≤ng)作(zuò)，或者你(nǐ)的(de)工(gō ≤×≤ng)作(zuò)要(yào)接觸到(dào)線路(✘£§lù)闆，那(nà)麽對(duì)這(zh©σè)些(xiē)符号一(yī)定不(bù)會(huì)陌生(shēng)。≤←©φ這(zhè)些(xiē)符号是(shì)電(di$∞àn)子(zǐ)元器(qì)件(jiàn)的(de)編号，你☆δγ(nǐ)知(zhī)道(dào)這(zhè)些(xiē)編号分(fēn)©γ 别代表什(shén)麽嗎(ma)？下(xià)面給大(dà)✘₩家(jiā)介紹幾種線路(lù)闆廠(chǎng)常見(jiàn)的(de)符α♥号。
一(yī)、電(diàn)阻的(de)型λ✘☆←号命名方法
用(yòng)符号R表示，單位為(wèi)歐姆、千歐、兆↕'歐，分(fēn)别用(yòng)Ω、KΩ、MΩ表示。
第一(yī)部分(fēn)：主稱，用(yòng)字母表示，表示産品的(d♠™₹↑e)名字。如(rú)R表示電(diàn)阻，↕♦≠W表示電(diàn)位器(qì)。
第二部分(fēn)：材料，用(yòng)字母表示'™←δ，表示電(diàn)阻體(tǐ)用(yòng$∑≥≤)什(shén)麽材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有(yφ§ǒu)機(jī)實心、N-無機(jī)實心、J-金(jīn)屬膜、Y-♦"¶✘氮化(huà)膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-×✔♣"線繞。
第三部分(fēn)：分(fēn)類，一(yī)般用(<≈yòng)數(shù)字表示，個(gè)别類型用(yòng)字母表示，表示産 ≤☆品屬于什(shén)麽類型。1-普通(tōng)、2-普通(tōng)、3-≥™$超高(gāo)頻(pín)、4-高(gāo)阻、5-±≥¥高(gāo)溫、6-精密、7-精密、8-高(gāo)壓、9-特殊、G-高γγ&±(gāo)功率、T-可(kě)調。
第四部分(fēn)：序号，用(yòng)數(shù)§↔γ字表示，表示同類産品中不(bù)同品種，以區(qū)分(fēn)産品的σΩ(de)外(wài)型尺寸和(hé)性能(néng)指标等，&↓×例如(rú)：R T 1 1型普通(tōng)碳膜電(diàn)✔>↑阻。
二、電(diàn)容的(de)型号命☆≠<名方法
用(yòng)C表示電(diàn)容，電(diàn)容單位有™β(yǒu)法拉（F）、微(wēi)法拉（uF）、皮法' 拉（pF），1F=10^6uF=10^12pF£ ¶∑
第一(yī)部分(fēn)：名稱，用(yòng)字母表×π示，電(diàn)容器(qì)用(yòng)C。
第二部分(fēn)：材料，用(yòng)字母表示。用✘•£✔(yòng)字母表示産品的(de)材料：A-钽電(diàn)解、B-★↔σ聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高(gāo)頻(pín)陶瓷、D-↓₽¶鋁電(diàn)解、E-其它材料電(diàn)解、G-合金(jīn)電(§ ≠♠diàn)解、H-複合介質、I-玻璃釉、J-金(jīn)✔屬化(huà)紙(zhǐ)、L-滌綸等極性有(yǒu)機(jī)'>β§薄膜、N-铌電(diàn)解、O-玻璃膜、Q→±γ-漆膜、T-低(dī)頻(pín)陶瓷、VΩ←↓¶-雲母紙(zhǐ)、Y-雲母、Z-紙(zhǐ)介。
第三部分(fēn)：分(fēn)類，一(yī)般α←用(yòng)數(shù)字表示，個(gè)别用(yòng)字母表示↓←。
第四部分(fēn)：序号，用(yòng)數(shù)字×∏$表示。
三、電(diàn)感線圈
用(yòng)L表示，單位有(yǒu)亨利（H）、毫亨利 （mH）、✔♣微(wēi)亨利（uH），1H=10^3mH=10^6uH。
1、電(diàn)感量L，電(diàn)感量L表示線>♥圈本身(shēn)固有(yǒu)特性，與電(diàn)流♣→φ大(dà)小(xiǎo)無關。除專門(mén)的(de)電(diàn)♣↓∞<感線圈（色碼電(diàn)感）外(wài)，₹™Ω≤電(diàn)感量一(yī)般不(bù)專♦§門(mén)标注在線圈上(shàng)，而以特定的(de)名稱标注。
2、感抗XL，電(diàn)感線圈對(duì)交流電(diàδ¥n)流阻礙作(zuò)用(yòng)的(de)大(dà)小(xiλ∏∞ǎo)稱感抗XL，單位是(shì)歐姆。它與電(diàn)感量L和(h♠↓&♣é)交流電(diàn)頻(pín)率f的(de)關系為(wèi)∏→↓∞XL=2πfL 。
3、品質因素Q，品質因素Q是(shì)表示線圈質量的(de)一(≠σφyī)個(gè)物(wù)理(lǐ)量，Q為(wèi)感抗XL與其等效的(d★♦e)電(diàn)阻的(de)比值，即：Q=XL/$α✔≈R線圈的(de)Q值愈高(gāo)，回路(lù)的(de)$✔損耗愈小(xiǎo)。線圈的(de)Q值與導線的(de)直流電(diàn)阻，£β×骨架的(de)介質損耗，屏蔽罩或鐵(tiě)芯引起的(de∞÷×₩)損耗，高(gāo)頻(pín)趨膚效應的(de)影(yǐn'£g)響等因素有(yǒu)關，線圈的(deσεσ✔)Q值通(tōng)常為(wèi)幾十到(dào)幾百。
4、分(fēn)布電(diàn)容，線圈的(de)匝與匝間(j↕♦¥iān)、線圈與屏蔽罩間(jiān)、線圈 $與底版間(jiān)存在的(de)電(diàn)容被∏ε£★稱為(wèi)分(fēn)布電(diàn♦¥∑)容。分(fēn)布電(diàn)容的(de)存在使線圈的δφ (de)Q值減小(xiǎo)，穩定性變差，因而線圈的ε↔≠≈(de)分(fēn)布電(diàn)容越π∏>小(xiǎo)越好(hǎo)。
四、半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn÷€ )
第一(yī)部分(fēn)：用(yòng)數≠←↕(shù)字表示半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn)有(yǒu)效電(±φ≤♦diàn)極數(shù)目。2-二極管、3-三☆¶極管。
第二部分(fēn)：用(yòng)漢語拼音(yīn)字母表示半導體(tǐ)£≥器(qì)件(jiàn)的(de)材料和(hé)極性。表示二極管時(shε•♣εí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示 ×✘三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NP≤≥N型鍺材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。
第三部分(fēn)：用(yòng)漢語拼音(yīn)字母表示半導體(¶♥✔"tǐ)器(qì)件(jiàn)的(de)內(nèi)型。P-普通(₽→₽tōng)管、V-微(wēi)波管、W-穩壓<∑管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道α ₽∑(dào)管、N-阻尼管、U-光(guāng)電(d★☆ iàn)器(qì)件(jiàn)、K-開(kāi↑ε♦)關管、X-低(dī)頻(pín)小(xiǎo)功率管（F《3MH↓₹ z，Pc《1W）、G-高(gāo)頻(pín↓ε§)小(xiǎo)功率管（f》3MHz，Pc《1W）€£ε 、D-低(dī)頻(pín)大(dà)功率管（↔≤f《3MHz，Pc》1W）、A-高(gāo)±' >頻(pín)大(dà)功率管（f》3MHz，Pc》1W）、T-半導φ↓↑體(tǐ)晶閘管（可(kě)控整流器(qì)）、Y-體(tǐ)效應器(↓↑$®qì)件(jiàn)、B-雪(xuě)崩管、J-階躍恢複管、C÷S-場(chǎng)效應管、BT-半導體(tǐ)特$∞¶殊器(qì)件(jiàn)、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-激光(gu≤♥āng)器(qì)件(jiàn)。
